闭环霍尔与磁通门的区别-韦克威

。今天，它介绍了另外两个方案：闭环霍尔方案和磁通门方案。

闭环霍尔电流传感器

下图显示了上述开环霍尔电流传感器的结构图。在测得的电流IP在磁芯中建立磁场之后，通过霍尔元件感应的霍尔电压来测量电流值；它将电压模拟量输出到外部。

闭环霍尔电流传感器基于开环原理，然后引入补偿电路。流过磁芯的电流有两部分：待测的一次侧电流和二次侧补偿电流。初级被测电流是指流过电池母线铜条的大电流，次级侧补偿电流由闭环霍尔电流传感器产生，并流经磁芯上的次级侧线圈。

具体地，由霍尔元件感应的霍尔电压不直接用于测量，而是在霍尔电压通过放大电路之后产生次级电流。次级电流流经缠绕在磁芯上的线圈，然后通过采样电阻RM流至地面。这样，次级侧电流也将在芯部中产生磁场，并且该磁场被设计为与要在初级侧测量的电流所产生的磁场相反，并且强度相等。则总磁通量为0，即霍尔元件处于0磁通量的环境中。

接下来，当霍尔元件中的磁通量为0时，可以得到以下公式。通过测量，可以获得IP； NS通常为1000-5000，约为25ma-300ma。

Fluxgate电流传感器是我们经常遇到的产品。例如，LEM的cab系列磁通门电流传感器可以分为几种类型，如下图所示：例如，标准型，C型，it型，低频型等。这里我们介绍基本的标准磁通门的原理。

58彩票标准磁通门电流传感器的结构类似于闭环霍尔结构，如下图所示。在磁芯的气隙中仅放置一个磁通门传感器，这会使电感饱和。

具体地，在该结构中，还存在要测量的初级侧电流IP（总线中的电流），并且次级侧反馈电流是（在次级侧线圈中）。类似地，只要气隙中的总磁通量为0，就可以根据以下公式计算IP：

该方案的原理框图如下：首先我们知道计算电流Ip的方法，即调节次级电流Is，使气隙的总通量为0，然后我们可以获得IP。那么，我们如何实时检测气隙处的磁通量并将磁通量调整为0？在本文中，使用可饱和电感器作为探针来识别气隙中的磁通量。它是由磁芯和线圈组成的电感式探头。

此外，气隙处的磁通量将影响探头的电感（探头的电感受外部磁场影响）。我们只需要区分磁通量为0时的电感和磁通量不为0时的电感。

那么如何识别不同磁通量下的电感呢？

一种方案是将电流ISI（电压源U（T））施加到感应探针的线圈。产生的磁通量和外部气隙的总磁通量（包括IPI引起的磁通量）叠加在感应探头的磁芯上。累积的磁通量会影响电感式探头的电感，并且电感与电流有关。知道ISI的电流如何受到气隙处的磁通量的影响是可以的。

58彩票省略中间的一些理论分析过程，当气隙处的总磁通量为0时，下图显示了感应探针中的电流，其中虚线表示施加到两者的方波电压U（T）探针的两端，实线是当前值I（T）。

58彩票当气隙处的总磁通量不为0时，感应探头中的电流波形如下：因此，通过检测电流值，我们可以确定气隙处的总磁通量是否为0，然后进行调整电流在次级线圈中，使气隙处的总磁通量为0。

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