GMR传感器的起源-韦克威-巨磁阻传感器

“GMR可以被认为是纳米技术领域很早的实际应用之一。”      —Nobel Prize Committee, October 2007

58彩票“巨磁电阻”中的巨是什么？

     尽管巨磁电阻（GMR）中的“巨”一词似乎与纳米技术设备不协调，但它指的是当器件受到磁场作用时电阻的巨大变化（通常为10%到20%），而其他类型的磁传感器的最大灵敏度只有几%。

纳米技术结构

GMR结构是夹在超薄非磁性导电中间层周围的铁磁合金：

（A） 是一种导电的非磁性夹层。由于反铁磁耦合，合金（B）层的磁矩方向相反。抗电流（C）高。非磁性导电层通常是铜。铜通常是一种优良的导体，但当铜只有几个原子厚时，电子散射会使铜的电阻显著增加。这种电阻的变化取决于导电层周围电子自旋的相对方向

58彩票施加外部磁场（D）克服反铁磁耦合，使合金（B）层中的磁矩对齐：

这样就可以利用这种外场感应装置来改变外场的结构。为了提高灵敏度，实际装置通常由多层交变磁性层和非磁性层组成。

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